他是西安电子科技大学教授
他从一名电工成长为中科院院士
他是我国第三代半导体领域的开拓者和引领者
今年6月份，由西安电子科技大学牵头完成的“高能效超宽带氮化镓射频功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”荣获国家科技进步一等奖，这个项目突破了卡脖子难题，支撑了我国在5G移动通信领域的国际领先地位。
氮化镓微波功率器件是5G移动通讯基站、相控阵雷达、空间卫星通讯系统的核心器件。所用的氮化镓是宽禁带半导体材料，也就是第三代半导体材料，具有高能效、超带宽等特性，是常见的半导体材料硅无法做到的。
郝跃与半导体的不解之缘源于少年时代。1958年，郝跃出生在重庆，从小就是无线电发烧友。
1977年10月，身处云南西双版纳的郝跃，是地质队里的一名电工，当从广播上听到恢复高考的消息时，他意识到这将是他一生中难得的机遇。
白天上工，晚上复习，最终，郝跃以优异的成绩，成为了恢复高考后众多追梦人中的佼佼者。
郝跃选择了半导体物理与器件专业，大学毕业后，留校任教，继续深耕半导体，既为了圆少年时的梦想，更有立志报国的雄心。
上世纪90年代中后期，郝跃带领研究团队作出一个大胆决定，选择了在国际上刚刚起步的宽禁带半导体材料氮化镓作为攻关方向。
研制半导体，设备是关键。郝跃带领团队从零开始，自力更生，2003自主研制成功国内第一台氮化物半导体的外延生长设备，获得了国家技术发明二等奖。
经过20多年持之以恒的努力，在当时别人看来还是“冷门”的研究领域，郝跃带领团队打通了从设备、材料、器件、电路到应用的技术体系，最终应用于国民经济和国防建设。
高新技术竞争的核心是人才。郝跃重视青年科研人才的培养和梯队建设，将自己获得的2019年度陕西省最高科学技术奖奖金200万元，全部拿出来，设立“芯缘科创基金”，鼓励从0到1突破，激励青年人才科研创新。
创新脚步永不停歇，郝跃和他的团队在宽禁带半导体领域的专利数量位居前列，推动了我国宽禁带半导体从核心设备、材料到器件的重大创新，引领了我国氮化物第三代半导体电子器件步入国际先进行列。
回首四十多年的科研经历，郝跃在科技创新，高水平科技自立自强的征途中，积累了宝贵的智慧和经验。
来源：陕西广电融媒体集团·今日点击、西安电子科技大学
编辑 | 炜琳 初审 | 陈浩 终审 | 徐公
