美国《旧金山纪事报》当地时间11月7日发布的讣告显示，中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士施敏于11月6日安详离世，享年87岁。

    讣告中称，他的非凡一生以及对电子和半导体器件的世界贡献，将被铭记和珍惜。

施敏

    施敏出生于中国南京，1957年毕业于中国台湾大学电机系，1960年在美国华盛顿大学获电机工程硕士，1963年在美国斯坦福大学获电机工程博士，系美国国籍。

    据中国工程院院士馆介绍，施敏是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家，是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

    由他撰写的研究专著《半导体器件物理学》是工程和应用科学领域的三部经典专著之一，被誉为半导体界的“圣经”，是全球半导体和集成电路研究人员的“必学”之书。

    2021年，施敏获未来科学大奖—数学与计算机科学奖，以表彰他对金属与半导体间载流子互传的理论认知作出的贡献，促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何形成欧姆和肖特基接触的关键技术。

    他在发表获奖感言时还表达了对年轻人的期待：“我也想借这个机会鼓励一下我们年轻的同学。我看了一下过去那么多年来，几乎最重要的发明都是年轻人做的，因为年轻人脑力很强，不但有很强的发明能力，同时也有发现能力。”

编辑 | 方圆

排版 | 志海