首页  >  媒体动态  >  媒体动态详情

高鼎三院士逝世

2009-06-15   中国工程院   阅读量:110

唁 电

吉林大学并致高鼎三院士治丧委员会:
       惊悉高鼎三院士不幸病逝,我们怀着无比悲痛的心情,向你们并通过你们向高鼎三院士的亲属表示沉痛的哀悼。
       高鼎三院士是我国著名的半导体与光电子学专家,是中国半导体事业开拓者之一。高鼎三院士在国内首先研制成大功率整流器,点接触二极管、三极管和光电二极管,较早研制成功了GaAs激光器、500A/2500V大功率闸管。发表了许多专、译著和文章。培养了一批博士后、博士、硕士研究生。高鼎三院士积极建议把光电子技术列为国家高技术发展的独立项目,并承担了863计划中可见激光器的结构设计及工艺研究和半导体激光器热传输特性等研究项目,取得了很大成绩。高鼎三院士毕生献身于我国科技和教育事业的发展,做出了重大贡献。他的逝世是我国科技教育界的巨大损失。
       高鼎三院士永垂不朽!

 

中国工程院院长 徐匡迪

二○○二年六月十六日


 

高鼎三院士生平

       我国半导体科学事业开拓者之一,著名半导体物理学家、教育家,中国工程院院士,长春市第六届、第七届、第八届、第九届人大常委会常委,吉林大学教授、博士生指导教师,电子科学与工程学院名誉院长高鼎三先生,因病医治无效,于2002年6月13日20时42分在长春逝世,享年88岁。
       高鼎三先生是吉林大学半导体系(现电子科学与工程学院)创建者,中国锗功率器件的最早研制者。近半个世纪以来兢兢业业,教书育人,潜心晶体管、半导体激光器、电力电子半导体器件的研究,为我国电子科学事业的发展做出了巨大贡献,为国家培养了大批优秀人才。
       高鼎三先生的逝世,不仅使我们失去了一位德高望重的师长,也是我国科技界、教育界的重大损失。
       高鼎三先生1914年7月24日出生于上海市一个贫寒家庭。少年时期就求知若渴,学习甚为用功。16岁参加函授攻读文科,1933年自学考入上海大同中学附中(高中),1937年考入了上海交通大学。上海"8·13"抗战爆发后,到武汉大学借读,1938年又转到昆明西南联大读书。1941年7月以优异成绩毕业并获得理学学士学位,毕业后被留在中央研究院评议会议任《科学记录》助理编辑。
       1947年11月,高鼎三先生被录取为留美实习生,赴美国加利福尼亚大学研究院攻读研究生。1951年取得硕士学位后开始攻读博士学位。1953年因要求回国而中断学业,在洛杉矶一家国际整流器公司任研究员。1955年5月回到祖国。在美求学期间,他曾参加进步组织"留学科协"并被推选为海湾地区候补理事长,担任加州大学中国留学生学生会副主席,和其他爱国留学生一起向美国移民局多次交涉,联名给美国总统艾森豪维尔和后来的杜鲁门写信,以求得早日回国参加祖国建设。
       回国后,高鼎三先生于1955年9月来到东北人民大学(吉林大学前身)物理系任教,并任物理系副主任、半导体教研室主任。1959年主持建立了全国第一个半导体系,并担任系主任工作,其间曾兼任集成光电子研究室主任。1978年晋升为教授。1984年以后,任电子工程系(由半导体系扩建)名誉系主任。曾任清华大学、吉林大学和中国科学院半导体研究所联合组建的"集成光电子学国家重点联合实验室"首届学术委员会主任(1990-1993),中国电子学会电力电子学会理事,半导体与集成技术委员会、国家科委光通信专业组顾问,长春物理学会理事长,吉林省电子学会副理事长等学术职务。1995年当选为中国工程院院士。
       高鼎三先生归国以来,以强烈的事业心和高度的责任感,成功研制了我国首个锗功率器件,为光电器件和半导体激光器发展倾注了毕生精力,为我国半导体事业的开拓与发展及专业人才的培养,作出了重大的贡献。
       我国半导体事业的开拓者
       1956年高鼎三先生带领半导体研制小组,仅用五个星期的时间就试制成锗半导体大功率整流器,这是我国第一个用锗半导体制造成的功率器件。此后不久,他又在国内研制成功锗点接触二极管和三极管。这些成果在当时被视为具有世界先进水平。1958年至1959年,在他的指导下,吉林大学半导体系研制出了开国内先河的锗光电二极管,研制成功了半导体热敏电阻、氧化铜整流器、砷化镓等半导体器件和半导体材料。1962年至1966年,进行了"外延技术"的研究,并制作了隧道二极管、砷化镓激光器、台面晶体管等。1976年,他主持研制的室温工作的锌扩散砷化镓平面条形双异质结激光器,达到了国内先进水平,获1978年全国科技大会奖。1986年至1988年,承担了国家自然科学基金项目"复合腔波导互补半导体激光器横模特性及纵模锁定效应的研究"制作出了当时具有国际先进水平的器件,该项成果于1988年获电子部科技成果一等奖,1988年获国家发明三等奖。
       在"七五"及"八五"期间,高鼎三先生还承担并指导完成了许多重大科研项目。他指导的国家科委"863"计划项目"可见光激光器的研制",通过对结构设计、工作机理及工艺的研究,使红光半导体激光器工艺大大简化,寿命有很大提高,其中"阶梯衬底内条形可见光半导体激光器"在1991年获国家教委科技进步三等奖,1992年获国家发明三等奖。研制成果"半导体激光器热传输特性研究"获1992年国家教委科技进步(甲类)三等奖。他指导的国家攻关项目"复合腔动态单膜半导体激光器",其对称三腔型和原子轰击内干涉型两种均获成功,实现了600MHz单模运转。此外,还开展了"耦合阵列大功率半导体激光器"及"高速调制1.3靘激光器"的研制工作。
       为了更加深入研究半导体激光器的内部机理,高鼎三先生承担了国家自然科学基金项目"长波长半导体激光器温度特性研究"。1987年取得了三项省级鉴定成果。而后又利用电导数测量技术,开展了激光器失效机理方面的研究,取得了一定成果(1993年通过省级鉴定),其中电导数测量技术已实现仪器化。
       针对半导体激光器微微秒技术在高速光电子学中的广泛应用,高鼎三先生指导了"七五"期间"863"计划的"半导体激光器高速电光采样仪"研制项目,开展了半导体激光器超短光脉冲、强度自相关测试、超高速电光采样仪技术的研究。其中超高速电光采样测试装置已达到1988年美国贝尔实验室研究水平。超短脉冲已达11 3PS。以上两项成果已在1991年通过省级鉴定。由于该项工作意义重大,"八五"期间又获"863"支持。
       此外,高鼎三先生一直重视电力半导体器件的研制工作。在70年代中期,他亲自带领师生深入工厂研制500A、3000V大功率晶闸管,取得了可喜成果。 1991年,他又指导博士研究生承担了国家自然科学基金"大功率光触发晶闸管"的研制工作。通过新结构的设计、新工艺探索使该种晶闸管的工作特性得到了极大的提高。其成果于1992年获国家教委科技进步二等奖。其中的新结构"中心锥体槽壮光敏门极的大功率光控双向晶闸管"获1993年国家发明四等奖。
       这些成绩的获得是与高鼎三先生勤于研究、时刻关注本学科的发展潮流和善于从中选取前沿课题、重视理论与实践结合和讲究发挥群体力量的素养是分不开的。
       积极为我国半导体事业的发展献计献策
       高鼎三先生非常关心国家半导体事业的发展。早在1956年中央有关部门召开的全国半导体科学发展规划会议上,他就曾针对当时的发展态势为我国半导体事业提出积极的建议。1986年5月,他应邀参加国家院主持召开的高技术专家座谈会,系统地阐述了美、日、西欧等国的光电子技术的发展水平及其发展战略,继而提出了我国应将光电子技术列为相对独立的高技术研究开发项目的建议。他的发言得到与会专家和领导的重视,他建议的光电子技术被列为高技术研究的重要主题项目。1987年5月,国家计委批准了高先生与他的研究集体同中国科学院半导体研究所及清华大学联合申报建立"集成光电子学国家重点联合实验室"的申请。高鼎三先生被推举为该实验室的首届学术委员会主任。该实验室在1987年以来的几次评估中,成绩一直比较突出。
       高鼎三先生对吉林省电子工业的发展也极为关心。1959年他在创立吉林大学半导体系的同时,向有关主管部门提出了创办长春半导体厂及中国科学院吉林分院半导体研究所(后改为东北物理所)的建议并参与了筹建工作。这两个单位的建成不仅使长春市成为培养半导体专门人才、进行半导体研究和生产(即产、学、研)的三结合基地,也为我国东北地区半导体事业奠定了基础。他还多次出席省市电子工业座谈会,为省市电子工业的发展提出了许多建设性的意见。在1987年12月召开的长春市九届人大会议上,他向市委书记、市长建议成立长春市高技术工业园区,并撰写了《吉林省半导体光电子技术的发展和前景》,送省市领导和电子局。
       为培养半导体事业人才呕心沥血
       高鼎三先生自1955年到吉林大学执教至今,一直把教书育人放在工作的首位。他不仅在培养本科生、研究生中倾注了心血,而且用自己的言行带出一支半导体专业教学与科研队伍。他培养出来的学生几乎遍及全国半导体业界,有的已成为这一领域的拔尖人才,可谓桃李满天下。
       高鼎三先生于1961年主持编写的《晶体管原理讲义》,在国内是该领域的开山之作,曾被许多高等院校、研究所和工厂视为颇具权威性的教材加以采用。
       文革期间,尽管高鼎三先生遭到迫害,但他胸怀坦荡,从没说过违心的话,稍得释放,便全身心地投入教学、科研之中,对党、对群众毫无怨言。他这种致力于培养学生、积极承担科研任务,热爱社会主义祖国、胸怀广阔,不追名逐利和治学严谨的精神风貌潜移默化地影响着、教育着周围的人们。
       高鼎三先生教育人才的主张还集中的表现在为吉林大学创建及发展半导体系的过程中,确定并力行的"理工结合、理化结合"和"与工业生产结合"的办学方针上。在这一方针指导下,半导体系(后改为电子工程系)为高等学院、科研单位及工厂培养了大量人才,也为仅有理科专业构成的半导体系演变成理科专业和工科专业相结合的电子工程系奠定了基础。建系当初只有两个专业和一个研究室的吉林大学半导体系如今已发展成为由七个专业构成的学院、多个研究所和一个国家重点实验室(吉林大学实验区)组成的教学和科研紧密结合的联合体。
       高鼎三先生从教近半个世纪以来,呕心沥血,甘为人梯,为国家培养了大量优秀人才。他一贯坚持实事求是,勤勉不懈的科学精神,锐意进取,严谨治学,维护真理,宣传科学,赤忱爱国,积极推进国家的科技与教育工作,为祖国的社会主义建设事业做出了重要的贡献。
       高鼎三先生永垂不朽!

高鼎三
中国工程院院士
半导体与光电子学专家