施敏
中国工程院外籍院士
美国国家工程院院士

施敏是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家，是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。（2017 IEDM Plenary Awards评）

个人信息

  • 姓名

    :施敏

    当选信息

    :

    中国工程院外籍院士 1998年

  • 性别

    :男
    出生年月: 1936年3月

  • 国籍

    :
    美国
    去世日期: 2023年11月6日

院士风采

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媒体报道

人生点滴

人生点滴

1936
1936年3月 出生
1950
1950年 ~ 1953年 台湾建国中学  普通高中毕业
1953
1953年 ~ 1957年 国立台湾大学 电机工程系 学士学位
1958
1958年 ~ 1960年 美国华盛顿大学 电机工程系 硕士学位
1960
1960年 ~ 1963年 美国斯坦福大学 电机工程系 博士学位
1963
1963年 ~ 1989年 贝尔实验室 研究员
1969
1969年 环宇电子股份有限公司 技术顾问
1990
1990年 台湾交通大学电子工程学系、电子与咨询研究中心 教授、主任
1998
1998年 ~ 2004年 台湾奈米元件实验室 主任
2004
2004年 台湾奈米元件实验室 资深顾问

院士印象

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